ESD防护器件制造商全程EMC技术支持

多通道集成TVS阵列的串扰抑制-深圳阿赛姆

多通道集成TVS阵列的串扰抑制技术与ASIM阿赛姆创新实践

一、串扰机制与行业痛点

1.1 耦合路径模型

多通道TVS阵列串扰主要源于：

$$C_{ = \frac{ε_r A}{d} \quad (d<0.2mm时激增300\%) $$

实测数据（@10GHz）：

• 传统DFN封装通道间距0.15mm时：串扰达-28dB
• 导致112G PAM4信号眼图闭合度恶化40%

1.2 设计矛盾三角

二、ASIM阿赛姆三重串扰抑制技术

2.1 三维电磁屏蔽架构

创新结构：

	[TVS芯片]─[纳米晶屏蔽层]─[铜网格地壳]



	 │ 



	 └─[通孔阵列连接地层] 

性能突破：

• 屏蔽效能提升至 40dB@10GHz
• 通道间电容降至 0.05fF（传统结构2.5fF）

2.2 纳米晶绝缘层技术

参数	传统FR4	ASIM纳米晶层
介电常数(εr)	4.5	1.8
介质损耗(tanδ)	0.025	0.002
热膨胀系数(ppm/℃)	16	5.2

2.3 自适应补偿电路

• 集成CMOS反馈网络实时监测串扰电压
• 动态注入反相抵消电流
• 补偿精度：±0.5mV（@2V信号幅值）

三、场景化性能验证

3.1 112G光模块应用

测试条件：

• 信号速率：112Gbps PAM4
• TVS型号：ASIM-DFN1610-8C
• 通道数：4组差分对

结果对比：

指标	传统方案	ASIM方案
串扰电压	85mV	8mV
眼图高度(UI=0.3)	0.18	0.28
TDECQ恶化量	2.1dB	0.3dB

3.2 车载以太网验证

极端工况：

• 温度范围：-40℃~125℃
• 同时施加ISO10650 8kV ESD+10kV EFT
• ASIM表现：
  • 串扰波动<±0.8dB
  • 零误码率维持>1000小时

四、工程设计规范

4.1 PCB布局黄金法则

4.2 材料选择标准

1. 基板：
   • 纳米晶绝缘层厚度≥15μm
   • 介电常数≤2.0
2. 焊料：
   • 高银含量SAC307（Ag≥3%）
   • 润湿时间<0.5秒

权威认证与技术背书

• 信号完整性：通过IEEE802.3ck TDECQ认证
• EMC性能：符合ISO11452-8 车载等级要求
• 可靠性：1000次ESD冲击后参数漂移<3%

经华为实验室实测：在112G光模块中采用ASIM方案，系统误码率从10??优化至10?¹²，满足OCS光通信标准最高等级。