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瞬态抑制二极管(TVS)选型核心要素解析-ASIM阿赛姆

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来源:发布日期 2025-08-19 14:59:16浏览:-
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一、电压参数定义与选型准则

  1. 反向截止电压(VRWM)

    • 选型公式:VRWM ≥ 电路最大工作电压 × 1.2
    • 示例:5V±10%系统需满足 VRWM ≥ 5.5V × 1.2 = 6.6V
    • 失效机制:VRWM过低将导致常态漏电流超标(实测数据:VRWM=4V应用于5V系统,25℃漏电流达120μA)
  2. 动态钳位电压(Vc)

    • 约束条件:Vc(max) < 被保护IC耐受电压
    • 实测对比:
      型号 Ipp=10A时Vc Ipp=50A时Vc 电压漂移率
      SMAJ5.0A 9.4V 14.2V +51%
      ESDA6V1S 8.2V 10.5V +28%


二、功率耐受能力计算模型

浪涌能量吸收公式
能量 E = 时间积分(Vc(t) × Ipp(t))dt

行业标准波形参数

波形类型 时间参数 能量系数(K)
8/20μs t=20μs K=1.0
10/1000μs t=1000μs K=1.8

选型验证


三、高频参数约束表

接口标准 信号速率 最大容抗要求 推荐TVS型号(结电容Cj)
USB4 40Gbps ≤0.3pF ESD3124(0.25pF)
PCIe Gen5 32GT/s ≤0.4pF SP3022(0.35pF)
10G以太网 10.3125Gbps ≤1.2pF

PESD1ETH(1.1pF)


四、行业应用合规性要求

应用领域 强制标准 TVS测试要求 认证型号示例
汽车电子 ISO7637-2 脉冲5b:-220V/50Ω/400ms SM8S24A
工业设备 IEC61000-4-5 6kV/3kA 组合波 5KP64CA
医疗设备 IEC60601-1-2 ±8kV接触放电 ESD9L5.0ST5G

五、失效模式与防护设计

  1. TVS失效机理

    • 热失效:结温 > Tj(max)(硅器件通常175℃)
    • 电失效:Ipp > Ipp(max)导致金属层熔断
  2. 多级防护电路设计

    输入 → [气体放电管GDT][π型滤波器][TVS] → 被保护电路                 │               │                阻抗Z1          阻抗Z2 
    • 参数要求:
      GDT击穿电压 > 1.5 × TVS反向截止电压
      GDT通流量 > 3 × TVS峰值脉冲电流


六、前沿技术参数(2024)

技术方向 性能指标 工程价值
氮化镓TVS Vc/Vbr=1.05@100A 降低钳位电压15%
集成保护模块 TVS+过压保护+过流保护 3mm²封装 减少PCB面积40%
自诊断TVS 故障状态输出(开漏极) 实现预测性维护


结语
    TVS选型需严格遵循电压匹配、功率验证、高频参数约束三项基本原则。设计阶段应进行SPICE仿真(推荐模型:Littelfuse SPICE Kit),并通过IEC 61000-4标准实测验证。器件必须满足应用场景的强制认证要求(如AEC-Q101/ISO16750)。


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