高分子ESD,emc电磁兼容,esd静电防护,esd系统

当前位置：首页 » ASIM新闻中心 » 新闻资讯

查看详情
132025-08

ESD防护失败？可能是单向/双向二极管选错了-ASIM阿赛姆 一个小小的二极管选择错误，足以让整个电子系统在静电放电面前溃不成军。在现代电子设备设计中，静电放电（ESD）防护已成为保障产品可靠性的关键环节。许多工程师在经历ESD测试失败后，往往会将问题归咎于复杂的系统设计...
查看详情
122025-08

共模电感抑制电磁干扰的机制与工作原理-ASIM阿赛姆 电磁干扰（EMI）是电子设备中常见的问题，可能导致信号失真、性能下降甚至系统故障。共模电感（Common Mode Choke, CMC）作为一种关键的无源元件，通过抑制共模噪声有效提升设备的电磁兼容性（EMC）。
查看详情
112025-08

重复ESD事件的累积效应对电子产品可靠性的影响-ASIM阿赛姆 由于电子产业的迅速发展，小型化、集成度高的电子产品（如涉及计算机后处理技术和声学、光学、磁学、生物学等多学科融合的医疗器件）被大规模生产并广泛应用。然而，伴随而来的静电放电现象对电子元件的损坏日益显现，引发了对...
查看详情
092025-08

TVS瞬态抑制器工作机制与核心电参数解析 TVS二极管（瞬态电压抑制器）是电路防护的核心器件，能在 1皮秒内响应高压脉冲（如雷击/ESD），通过雪崩效应将电压箝位至安全值。本文详解其双向结构差异、 Vc/Ipp参数选型规则及高频电路适配方案。一...
查看详情
072025-08

工业RS-485总线TVS防护方案实践 工业现场RS-485总线常因雷击、电机启停浪涌、静电累积导致大规模通信瘫痪。传统“单颗TVS走天下”的方案失效率高达37%（ASIM 2023年故障数据库）。
查看详情
062025-08

高浪涌抗扰型ESD器件赋能Type-C高速传输 ASIM阿赛姆ESD产品凭借硅基工艺实现超低结电容（0.05pF）与快速响应（ps级），结合全电压覆盖（3.3V-36V）及专业EMC实验室支持，为高速接口提供高性价比可靠防护。
查看详情
052025-08

ESD二极管选型解决蓝牙耳机静电问题 静电放电（ESD）是电荷瞬态释放现象（电势达30kV/电流100A/持续时间100ns），其能量虽小（0.1μJ）却足以击穿集成电路。
查看详情
012025-08

CMOS电路ESD保护结构设计方法 CMOS（互补式金属氧化物半导体）是一种在硅质晶圆上集成互补NMOS与PMOS器件的工艺。