行业动态

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262025-08

ESD二极管双向与单向，该怎么抉择-ASIM阿赛姆 在电路保护设计中，选择双向（Bidirectional）还是单向（Unidirectional）ESD保护二极管，是工程师面临的一个关键决策。选型正确与否，直接关系到防护效果、系统成本乃至电路功能的正常运行。
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252025-08

TVS管与ESD二极管关键特性指南-ASIM阿赛姆 ESD保护二极管(如TVS二极管)通常能提供非常有效的ESD保护.低电容的ESD二极管(能达到等效电容约1pF)是实现优越的ESD保护和良好信号完整性的首选。
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222025-08

汽车CAN总线需不需要加CAN总线-ASIM阿赛姆 在实际应用中我们可以看到很多can总线加上共模电感,事实上can芯片具有良好的抗静电和暂态电压能力.有些收发器还具有良好的电磁兼容性能,在应用中可以根据设计要求增加保护,滤波等周边设备.对于CAN总线是否增加共模电感,主要从电...
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212025-08

车规共模与普通共模的差别在哪里-ASIM阿赛姆 车规级共模电感用于高端定位的汽车,对产品性能和稳定性有严格要求.它广泛应用于汽车导航,仪表盘,汽车前照灯,变速等领域.
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202025-08

双向TVS的优势详解与极性辨认技巧-ASIM阿赛姆 TVS管也叫瞬态抑制二极体，TVS管是吸收浪涌功率用的，能在极短时间内承受反向电压冲击，使两极间的电压钳位于一个特定电压上，避免后面的电路受到冲击。
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192025-08

瞬态抑制二极管（TVS）选型核心要素解析-ASIM阿赛姆 TVS选型需严格遵循电压匹配、功率验证、高频参数约束三项基本原则。
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182025-08

以太网接口ESD保护选型指南-ASIM阿赛姆 以太网接口的ESD防护需遵循“低电容、精准钳位、低电感布局”原则。通过合理选型TVS器件（如ESD0524V015T满足千兆网超低电容需求），并优化PCB接地设计，可显著提升设备可靠性。
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152025-08

CMOS电路的ESD保护设计思路-ASIM阿赛姆 在集成电路（IC）设计与制造领域，静电放电防护是保障芯片可靠性与良率的关键环节之一。尤其是对于特征尺寸不断缩小、栅氧化层日益变薄的CMOS电路而言，其固有的高输入阻抗和对电压尖峰的敏感性，使得ESD保护设计成为不可或缺的...
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142025-08

电路防护器件TVS二极管的核心功能-ASIM阿赛姆 TVS二极管（瞬态电压抑制二极管）作为现代电子系统的“安全卫士”，其核心功能是在纳秒级时间内响应瞬态过电压事件（如静电放电、雷击浪涌、电源开关扰动等），通过快速钳位和能量分流机制保护精密电子元器件免受损坏。
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132025-08

ESD防护失败？可能是单向/双向二极管选错了-ASIM阿赛姆 一个小小的二极管选择错误，足以让整个电子系统在静电放电面前溃不成军。在现代电子设备设计中，静电放电（ESD）防护已成为保障产品可靠性的关键环节。许多工程师在经历ESD测试失败后，往往会将问题归咎于复杂的系统设计...
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122025-08

共模电感抑制电磁干扰的机制与工作原理-ASIM阿赛姆 电磁干扰（EMI）是电子设备中常见的问题，可能导致信号失真、性能下降甚至系统故障。共模电感（Common Mode Choke, CMC）作为一种关键的无源元件，通过抑制共模噪声有效提升设备的电磁兼容性（EMC）。
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112025-08

重复ESD事件的累积效应对电子产品可靠性的影响-ASIM阿赛姆 由于电子产业的迅速发展，小型化、集成度高的电子产品（如涉及计算机后处理技术和声学、光学、磁学、生物学等多学科融合的医疗器件）被大规模生产并广泛应用。然而，伴随而来的静电放电现象对电子元件的损坏日益显现，引发了对...
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092025-08

TVS瞬态抑制器工作机制与核心电参数解析 TVS二极管（瞬态电压抑制器）是电路防护的核心器件，能在 1皮秒内响应高压脉冲（如雷击/ESD），通过雪崩效应将电压箝位至安全值。本文详解其双向结构差异、 Vc/Ipp参数选型规则及高频电路适配方案。一...
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072025-08

工业RS-485总线TVS防护方案实践 工业现场RS-485总线常因雷击、电机启停浪涌、静电累积导致大规模通信瘫痪。传统“单颗TVS走天下”的方案失效率高达37%（ASIM 2023年故障数据库）。
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062025-08

高浪涌抗扰型ESD器件赋能Type-C高速传输 ASIM阿赛姆ESD产品凭借硅基工艺实现超低结电容（0.05pF）与快速响应（ps级），结合全电压覆盖（3.3V-36V）及专业EMC实验室支持，为高速接口提供高性价比可靠防护。
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052025-08

ESD二极管选型解决蓝牙耳机静电问题 静电放电（ESD）是电荷瞬态释放现象（电势达30kV/电流100A/持续时间100ns），其能量虽小（0.1μJ）却足以击穿集成电路。
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012025-08

CMOS电路ESD保护结构设计方法 CMOS（互补式金属氧化物半导体）是一种在硅质晶圆上集成互补NMOS与PMOS器件的工艺。
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312025-07

共模电感选型：材料与参数平衡 在电磁兼容设计领域，共模电感的选型本质上是一场材料特性与电气参数的精密博弈。如何在有限空间内实现最优噪声抑制，需深度理解材料与参数间的动态平衡关系。
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302025-07

ESD二极管结构差异与选型指南 单向与双向ESD二极管的核心差异在于结构对称性和电流方向限制，直接影响其在直流或交流电路的适用性。
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292025-07

静电威胁电子产品的重要特性：从隐蔽到复杂 静电放电（ESD）是电子设备失效的主要诱因之一，其破坏机制复杂且具有多重物理特性。