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092020-12
CMOS电路该如何设计ESD保护结构? 互补式金属氧化物半导体,是一种集成电路的设计工艺,可以在硅质晶圆模板上制出NMOS和PMOS的基本元件,由于NMOS与PMOS在物理特性上为互补性,因此被称为CMOS。
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082020-12
ESD3E3LBS_ESD3AB5G00US_DSD瞬态二极管 ESD3E3LBS ESD3AB5G00US ASIM产品中心 Product Center SOD123封装 SMAF封装 SMBF封装 ...
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082020-12
以太网口ESD保护应该如何选型? 以太网是一种计算机局域网技术。IEEE组织的IEEE 802.3标准制定了以太网的技术标准,它规定了包括物理层的连线、电子信号和介质访问控制的内容。以太网是目前应用最普遍的局域网技术,取代了其他局域网标准如令牌环、FDDI和ARCN...
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082020-12
ESD放电二极管的特性有哪些? 目前市场上有很多ESD保护器件,但最常用的ESD保护器件可分为三大类:聚合物、压敏电阻/抑制器和二极管。ESD二极管是一种过电压防静电保护装置,是为高速数据传输应用的I / O口保护而设计的。
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012020-12
SYT01A03DXC_TVS静电二极管 PartNumber VRWM(V) CJ(pF) IPP(A) VC(V) Package Configuration SYS01V05AMC 5 200 25 10 ...
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192020-11
SDCW1210S-2-361TF_共模滤波器 PartNumber 阻抗(Z)±25% 直流电阻(DCR) 额定电流Ir (Ma) Package SDCW1210U-2-140TF 14 0.12 600 1210 ...
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182020-11
ESDN2L1006C5V01L_ESD二极管 PartNumber VR(V) VBR(V) CJ(pF) IPP(A) VC(V) Package ESD3C3V01L 3 4 1.5 20 18 ...
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182020-11
YESUC0521NE_ESD静电防护二极管 PartNumber VRWM(V) VBR(V) VC(V) IPP(A) CJ(pF) Package Directional YS3304P5 3.3 6 6.5 ...
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差分信号传输凭借优异的共模抑制能力成为高速接口主流方案,但共模浪涌能量可通过分布电容、寄生电感等路径耦合至信号线,对后端芯片构成威胁。TVS二极管差分端口共模浪涌防护需构建从能量泄放到精密钳位的完整架构,确保共模能量有效疏导至地。 【更多详情】
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