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- [消费电子]LED显示屏ESD导致驱动IC损坏解决方案2016年07月28日 11:21
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- [消费电子]工控产品ESD解决方案2016年04月15日 13:49
- 湖南某电子有限公司是一家从事电表、工控产品为主的公司,其有一款产品在深圳龙华某检测机构做ESD静电(接触±4,空气±8K)放电测试时无法通过测试标准,经测试机构推荐我司为其提供解决方案,经我司工程师分析诊断,推荐使用高分子ESD静电管,使用后通过测试OK。
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- [公司新闻]USB3.0接口ESD管选型要点有哪些?-深圳阿赛姆2025年09月18日 09:45
- 解析USB3.0接口ESD保护器件选型三大核心要点:超低结电容、精准钳位电压、高浪涌能力,附PCB布局规范、量产验证方案及推荐型号,直击信号衰减与静电失效痛点。
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- [公司新闻]高速接口ESD管结电容过高影响信号怎么办?-深圳阿赛姆2025年09月17日 15:29
- 解决USB/HDMI高速接口因ESD结电容导致的信号衰减问题!提供超低电容器件选型、π型滤波电路设计、PCB布局三大方案,附4K摄像机整改实测数据。
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- [公司新闻]MOS管寄生电容过大?抑制方法与影响分析-深圳阿赛姆2025年09月16日 15:28
- 寄生电容是高频MOS管应用的“隐形杀手”。通过优选低电容器件+强化驱动能力+有源米勒钳位三重手段,可降低开关损耗40%以上,提升系统效率3-5%。在200W以上功率系统中,优先考虑GaN或SiC器件(Coss降低80%),并采用开尔文布局控制回路电感至5nH以下。
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- [公司新闻]共模电感常见故障及快速排查方法-深圳阿赛姆2025年09月15日 16:04
- 详解共模电感四大故障(温升/噪声失效/信号失真/断裂)的现场检测方法,提供磁饱和波形分析法、阻抗曲线实测步骤、眼图与S参数诊断技巧。
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- [公司新闻]MOS管高频开关时,怎样减少功率损耗?-深圳阿赛姆2025年09月12日 16:24
- 深度解析高频MOSFET损耗构成(公式拆解+实测数据),提供器件选型黄金参数表、驱动电路负压关断方案、LLC/ZVS软开关设计及PCB布局7大法则。
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- [公司新闻]MOSFET过压击穿失效机制与雪崩能量设计规范-深圳阿赛姆2025年09月11日 15:34
- 本文解析MOSFET过压击穿的雪崩失效机制,基于JEDEC JESD24标准详解雪崩能量(EAS)的测试方法(单脉冲UIS电路)与设计规范,提供工业电源及汽车电子的降额系数选择、热稳定性验证流程及典型案例改进方案,解决V(BR)DSS超限引发的寄生导通问题。
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- [公司新闻]汽车电子TVS的ISO 16750-2浪涌测试失效分析-深圳阿赛姆2025年09月09日 14:13
- 本文解析TVS在汽车抛负载(Test A)、冷启动(Test B)测试中的典型失效模式,涵盖电压选型错误、热崩溃、引线熔断等6类故障机理,附整改案例及I-V曲线诊断方法
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- [公司新闻]多通道集成TVS阵列的串扰抑制-深圳阿赛姆2025年09月08日 14:01
- ASIM阿赛姆多通道TVS阵列通过三维电磁屏蔽+纳米晶绝缘层,实现-50dB通道隔离度,在112G光模块应用中串扰电压降至8mV,比传统方案降低90%,满足IEEE802.3ck标准严苛要求。
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- [公司新闻]共模电感选型难?关键参数解读助你精准挑选-ASIM阿赛姆2025年09月03日 14:24
- 深入解析共模电感6大核心参数(阻抗频率特性/饱和电流Isat/温升曲线),提供电源接口、高速总线、电机驱动三大场景选型决策树,揭露磁饱和失效等6大设计陷阱,附赠ANSYS仿真优化方案。助力工程师精准选择抗饱和、低DCR、宽频抑制电感,一次性通过EMC认证。
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- [行业动态]CMOS电路ESD保护结构设计方法2025年08月01日 13:54
- CMOS(互补式金属氧化物半导体)是一种在硅质晶圆上集成互补NMOS与PMOS器件的工艺。
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- [行业动态]共模电感选型:材料与参数平衡2025年07月31日 10:33
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- [行业动态]TVS 二极管防护设计的选型准则2025年07月22日 14:01
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