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282025-10
雷卯替代-阿赛姆电子ESD成国产化首选 在产品布局方面,阿赛姆电子形成了完善且高度适配的器件矩阵,涵盖ESD静电保护二极管、TVS瞬态电压抑制二极管、二三极管、MOS管、共模电感以及磁珠保险丝等主流器件类型。这些产品在核心性能参数上严格遵循行业标准,部分关键指...
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152025-10
阿赛姆ESD二极管选型应用大全 阿赛姆ESD器件的核心优势在于:通过超低结电容设计(典型值≤0.05pF)与AEC-Q101车规级可靠性验证,在48Gbps高速接口中实现插入损耗<-1.8dB@24GHz的同时,提供±30kV ESD防护能力,满足HDMI 2.1/IEC 61000-4-2严苛标准。
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222025-09
ESD管、TVS管焊接失误会引发什么故障?-ASIM阿赛姆 ESD/TVS管焊接失误(虚焊、偏移、过热等)直接导致器件泄放路径中断或电气参数劣化,引发系统ESD防护失效、信号短路及芯片击穿,实测故障率最高提升35%,需通过X光检测、热成像及焊点金相分析精准定位缺陷。
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192025-09
ESD管响应慢,怎样与TVS管配合优化防护?-ASIM阿赛姆 TVS管前置扛浪涌冲击(响应0.1ns),高分子ESD管后级精准钳位(响应0.2ns),通过电压梯度设计(Vclamp_TVS≤0.9×VBR_ESD)与≤5mm级联间距,将防护响应速度提升至0.3ns级。
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182025-09
USB3.0接口ESD管选型要点有哪些?-深圳阿赛姆 解析USB3.0接口ESD保护器件选型三大核心要点:超低结电容、精准钳位电压、高浪涌能力,附PCB布局规范、量产验证方案及推荐型号,直击信号衰减与静电失效痛点。
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172025-09
高速接口ESD管结电容过高影响信号怎么办?-深圳阿赛姆 解决USB/HDMI高速接口因ESD结电容导致的信号衰减问题!提供超低电容器件选型、π型滤波电路设计、PCB布局三大方案,附4K摄像机整改实测数据。
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162025-09
MOS管寄生电容过大?抑制方法与影响分析-深圳阿赛姆 寄生电容是高频MOS管应用的“隐形杀手”。通过优选低电容器件+强化驱动能力+有源米勒钳位三重手段,可降低开关损耗40%以上,提升系统效率3-5%。在200W以上功率系统中,优先考虑GaN或SiC器件(Coss降低80%),并采用开尔文布局控...
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152025-09
共模电感常见故障及快速排查方法-深圳阿赛姆 详解共模电感四大故障(温升/噪声失效/信号失真/断裂)的现场检测方法,提供磁饱和波形分析法、阻抗曲线实测步骤、眼图与S参数诊断技巧。
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TVS二极管差分端口共模浪涌防护方案-ASIM阿赛姆
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TVS二极管差分端口共模浪涌防护方案-ASIM阿赛姆
差分信号传输凭借优异的共模抑制能力成为高速接口主流方案,但共模浪涌能量可通过分布电容、寄生电感等路径耦合至信号线,对后端芯片构成威胁。TVS二极管差分端口共模浪涌防护需构建从能量泄放到精密钳位的完整架构,确保共模能量有效疏导至地。 【更多详情】
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