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122025-09
MOS管高频开关时,怎样减少功率损耗?-深圳阿赛姆 深度解析高频MOSFET损耗构成(公式拆解+实测数据),提供器件选型黄金参数表、驱动电路负压关断方案、LLC/ZVS软开关设计及PCB布局7大法则。
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112025-09
MOSFET过压击穿失效机制与雪崩能量设计规范-深圳阿赛姆 本文解析MOSFET过压击穿的雪崩失效机制,基于JEDEC JESD24标准详解雪崩能量(EAS)的测试方法(单脉冲UIS电路)与设计规范,提供工业电源及汽车电子的降额系数选择、热稳定性验证流程及典型案例改进方案,解决V(BR)DSS超限引发...
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102025-09
mos管工作原理图详解请-ASIM阿赛姆 本文基于Infineon/ON Semi厂商文档,通过10+张图解剖析MOS管四层结构、载流子运动路径及三大工作区边界判定。详解Miller平台形成机制与Qgd关系,提供体二极管反向恢复特性实测数据(trr/Irr),给出SOA热边界与雪崩能量计算公式...
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092025-09
汽车电子TVS的ISO 16750-2浪涌测试失效分析-深圳阿赛姆 本文解析TVS在汽车抛负载(Test A)、冷启动(Test B)测试中的典型失效模式,涵盖电压选型错误、热崩溃、引线熔断等6类故障机理,附整改案例及I-V曲线诊断方法
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082025-09
多通道集成TVS阵列的串扰抑制-深圳阿赛姆 ASIM阿赛姆多通道TVS阵列通过三维电磁屏蔽+纳米晶绝缘层,实现-50dB通道隔离度,在112G光模块应用中串扰电压降至8mV,比传统方案降低90%,满足IEEE802.3ck标准严苛要求。
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062025-09
超薄封装TVS在可穿戴设备应用-ASIM阿赛姆 深度解析0.4×0.2×0.1mm超薄封装TVS二极管在可穿戴设备中的关键技术:0.05pF结电容保障生物传感器精度,<0.05μA漏电流优化功耗,±30kV ESD防护能力(IEC 61000-4-2)。包含柔性电路3D堆叠策略、多端口协同防护方案及-40℃~...
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052025-09
车规级ESD选型纠结?关键参数帮你理清思路-ASIM阿赛姆 车规级ESD选型需同步满足 AEC-Q101可靠性、ISO 10605防护等级、电路参数匹配性三大维度。
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032025-09
共模电感选型难?关键参数解读助你精准挑选-ASIM阿赛姆 深入解析共模电感6大核心参数(阻抗频率特性/饱和电流Isat/温升曲线),提供电源接口、高速总线、电机驱动三大场景选型决策树,揭露磁饱和失效等6大设计陷阱,附赠ANSYS仿真优化方案。助力工程师精准选择抗饱和、低DCR、宽频抑...
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TVS二极管差分端口共模浪涌防护方案-ASIM阿赛姆
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TVS二极管差分端口共模浪涌防护方案-ASIM阿赛姆
差分信号传输凭借优异的共模抑制能力成为高速接口主流方案,但共模浪涌能量可通过分布电容、寄生电感等路径耦合至信号线,对后端芯片构成威胁。TVS二极管差分端口共模浪涌防护需构建从能量泄放到精密钳位的完整架构,确保共模能量有效疏导至地。 【更多详情】
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