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- [行业动态]以太网接口ESD保护选型指南-ASIM阿赛姆2025年08月18日 15:13
- 以太网接口的ESD防护需遵循“低电容、精准钳位、低电感布局”原则。通过合理选型TVS器件（如ESD0524V015T满足千兆网超低电容需求），并优化PCB接地设计，可显著提升设备可靠性。
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- [行业动态]高浪涌抗扰型ESD器件赋能Type-C高速传输2025年08月06日 10:51
- ASIM阿赛姆ESD产品凭借硅基工艺实现超低结电容（0.05pF）与快速响应（ps级），结合全电压覆盖（3.3V-36V）及专业EMC实验室支持，为高速接口提供高性价比可靠防护。
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- [行业动态]ESD二极管选型解决蓝牙耳机静电问题2025年08月05日 15:11
- 静电放电（ESD）是电荷瞬态释放现象（电势达30kV/电流100A/持续时间100ns），其能量虽小（0.1μJ）却足以击穿集成电路。
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- [行业动态]ESD二极管结构差异与选型指南2025年07月30日 14:14
- 单向与双向ESD二极管的核心差异在于结构对称性和电流方向限制，直接影响其在直流或交流电路的适用性。
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- [根栏目]通信端口与I/O口静电防护的高分子ESD解决方案2025年07月25日 17:05
- 在电子产品高度集成化和高速化的今天，静电防护要求日益严苛。高分子ESD静电抑制器以其卓越性能，成为解决静电问题的优选方案。
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- [常见问答]ESD5311Z-ESD二极管2020年05月22日 16:21
- ESD防护对我们常用的电子消费类终端产品尤为重要。而冬天人体产生的静电非常强烈而且频繁，当我们接触手机、数码相机或MP3等手持电子设备时，静电常常通过人体引入电子设备中；如果没有专门的静电防护，轻则引起芯片复位、数据丢失、关机等现象，重则击穿芯片造成永久性破坏，给我们的日常生活带来不必要的麻烦和经济上的损失！因此为保证整个系统有较好的ESD防护能力，外部ESD防护器件是必不可少的。
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- [常见问答]静电是如何产生的？ESD二极管能够防止静电吗？2020年04月27日 17:13
- 大多数电子产品都需要安装ESD防护器件，因为ESD防静电二极管的作用是防止静电对芯片、元器件放电，而将它们打坏。
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- [技术支持]年轻EMC工程师如何进行esd二极管型号的选型工作？-[ASIM]2020年03月17日 15:19
- 为什么要提到常用esd二极管型号呢？当工程技术人员在进行元器件选型的时候，会发现市场上几十个品牌的上千款esd防护器件型号满目琳琅，并且每家的近似产品中参数也并不统一，没有经验的工程师到底怎么选择会更轻松呢？
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- [经典案例]TVS二极管与ESD二极管有什么区别2019年10月19日 15:09
- ESD静电防护对于便携式电子产品设备等非常的重要，是一种很有效的防护器件，与其他器件相比有独特的优势，在应用时应当针对不同的产品来选用，因为不同的端口受到的esd冲击不同，器件要求的保护程度也是不同的。所以要注意参数以及pcb布局设计等。那么在使用esd防护器件时TVS二极管与ESD二极管有什么区别呢？ TVS瞬态电压抑制，电子器件遭受直接或者是间接的雷击，静电放电等因素导致的浪涌，电压从几伏到几千伏不等。ESD静电放电保护就是对器件静电的防护。 TVS二极管和ESD二极管
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- [经典案例]静电问题诊断思路和防护设计2019年09月05日 16:31
- 随着科技快速发展，电子产品的集成度和自动化程度越来越高，产品的ESD敏感度也越高，产品防ESD干扰的能力已经成为电子产品质量好坏的一个重要因素。为此越来越多的产品标准将ESD 抗扰度验验作为推荐或强制性内容纳入其中。 产品在测试静电不通过需要整改是工程师遇到很头痛的问题。ASIM深耕于EMC保护器件行业数载，有标准EMC室验室、专业的技术团队。浅谈ESD问题常用诊断思路、关键电路设计、防护器件选型如下： 诊断思路： 现象分析法：静电放电过程中仔细观察出现异常状态时的现象，结
- 阅读（260）
- [经典案例]ESD保护器件的种类和应用2018年11月23日 15:41
- 在电子产品的设计制造工艺中使用ESD防护器件在STM和PCB设计中应用已经很广泛，比如，经常使用的手机内部电路，还有PC主板中的防静电工艺等。在此我们总结归纳一下都有哪些ESD保护器件。
- 阅读（235）
- [行业动态]ESD保护器件的种类和应用2016年04月14日 17:26
- 在电子产品的设计制造工艺中使用ESD防护器件在STM和PCB设计中应用已经很广泛，比如，经常使用的手机内部电路，还有PC主板中的防静电工艺等。在此我们总结归纳一下都有哪些ESD保护器件。 一、ESD：Electrostatic Discharge 就是当静电能量达到一定程度后，击穿其间介质而进行放电的现象。 是一种极快的瞬间脉冲电流。ESD的特点是持续时间短(在0.7~1ns之间)，低能量，瞬时高电压。
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