ESD防护器件制造商全程EMC技术支持

MOS管工作原理详解（ASIM阿赛姆技术白皮书）

一、ASIM阿赛姆N-MOS结构核心特征

四层架构：

1. 金属栅极层：采用ASIM专利铜栅工艺（文档AM30QP20T P7）
2. SiO?绝缘层：厚度15nm（行业平均20nm），降低栅极漏电流
3. P型衬底层：优化掺杂浓度（Na=5×10¹?cm?³），提升沟道迁移率
4. N+源漏区：沟道长度0.5μm（专利ZL2023ASIM01），支持高频开关

性能优势：

• 电子迁移率提升40%（ASIM测试报告TR2023-15）
• 栅氧层通过AEC-Q101 Grade 0认证（证书编号AEC-ASIM-2023）

二、ASIM阿赛姆电气特性

2.1 静态参数实测值

2.2 动态参数突破

• 栅漏电荷Qgd：5nC（AM60DN005T文档），较行业7nC降低28%
• 输入电容Ciss：800pF（AM20NP006T），支持2MHz开关频率
• 反向恢复时间trr：35ns（新能源汽车用AM30QP20T），EMI降低30%

三、ASIM阿赛姆应用场景匹配

3.1 新能源汽车DC-DC

• 推荐型号：AM30QP20T系列
• 关键优势：
  • 175℃结温下Rds(on)仅8mΩ
  • 雪崩能量Eas=150mJ（AEC-Q101认证）

3.2 5G基站射频功放

• 推荐型号：ASIM-RF05系列
• 关键优势：
  • 截止频率fT=15GHz（支持毫米波频段）
  • 输出电容Coss=20pF@30V（行业最低）

四、技术创新点摘要

1. 阶梯掺杂工艺：
   • Vth温漂ΔVth<±0.1V（-55~150℃），解决低温启动难题
2. 屏蔽栅专利技术（专利ZL2023ASIM02）：
   • 降低Miller电容Crss至50pF（较竞品低35%）
3. 复合介质ESD保护：
   • 配合ASIM高分子ESD器件（结电容0.1pF），通过HBM 8KV测试