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- [公司新闻]ESD管响应慢，怎样与TVS管配合优化防护？-ASIM阿赛姆2025年09月19日 16:51
- TVS管前置扛浪涌冲击（响应0.1ns），高分子ESD管后级精准钳位（响应0.2ns），通过电压梯度设计（Vclamp_TVS≤0.9×VBR_ESD）与≤5mm级联间距，将防护响应速度提升至0.3ns级。
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- [行业动态]ESD二极管双向与单向，该怎么抉择-ASIM阿赛姆2025年08月26日 13:46
- 在电路保护设计中，选择双向（Bidirectional）还是单向（Unidirectional）ESD保护二极管，是工程师面临的一个关键决策。选型正确与否，直接关系到防护效果、系统成本乃至电路功能的正常运行。
- 阅读（14）
- [行业动态]TVS管与ESD二极管关键特性指南-ASIM阿赛姆2025年08月25日 16:51
- ESD保护二极管(如TVS二极管)通常能提供非常有效的ESD保护.低电容的ESD二极管(能达到等效电容约1pF)是实现优越的ESD保护和良好信号完整性的首选。
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- [行业动态]ESD防护失败？可能是单向/双向二极管选错了-ASIM阿赛姆2025年08月13日 14:52
- 一个小小的二极管选择错误，足以让整个电子系统在静电放电面前溃不成军。 在现代电子设备设计中，静电放电（ESD）防护已成为保障产品可靠性的关键环节。许多工程师在经历ESD测试失败后，往往会将问题归咎于复杂的系统设计或制造工艺，却忽视了最基础也最关键的因素——单向与双向ESD保护二极管的正确选择。 错误的选择不仅会导致设备在测试中失败，更可能在产品投入使用后引发潜在性失效，使设备功能随时间逐渐变差，最终完全损坏。这种失效模式最难诊断
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- [行业动态]CMOS电路ESD保护结构设计方法2025年08月01日 13:54
- CMOS（互补式金属氧化物半导体）是一种在硅质晶圆上集成互补NMOS与PMOS器件的工艺。
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- [行业动态]静电威胁电子产品的重要特性：从隐蔽到复杂2025年07月29日 13:15
- 静电放电（ESD）是电子设备失效的主要诱因之一，其破坏机制复杂且具有多重物理特性。
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- [行业动态]电路中如何选择合适的保护器件？2025年07月18日 15:38
- 你要知道你想要防止的损害是什么，许多时候设计工程师会向硕凯电子咨询有关浪涌保护器件的问题，但他们却不知道想要避免造成什么损害，因此，你必须做的第一件事是确定要防止直接的雷击、二次冲击(如IEC61000-4-5 标准描述)，还是静电放电(如IEC61000-4-2标准描述)。
- 阅读（15）
- [根栏目]TT0301MA-ESD静电保护二极管2022年05月17日 15:14
- Name packageall VRWM VBR VC Ipp Direction IRMax CjTyp IppA TT0301MA DFN0603-2L 3.3 3.8 8 1 B...
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