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ESD二极管阵列如何选型?

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来源:发布日期 2020-08-13 11:57:54浏览:-
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静电放电,是指在某一绝缘介质的两面分别出现正电荷和负电荷,并且逐渐累积时,这时加于该绝缘介质上的电压也会同时增加,当该电压高于一定程度后,这时绝缘介质会发生电击穿,继而使得一部分绝缘介质变为导体,使电流能够通过。

ESDElectrostatic Discharge Protection Devices),静电保护元器件,又称瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array,是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件,主要应用于各类通信接口静电保护,比如USBHDMIRS485RS232VGARJ11RJ45BNCSIMSD等接口中。

目前阿赛姆电子供应的ESD产品主要分为五大类:

单通道ESDEOS保护器件

低电容ESD静电二极管

标准电容ESD静电二极管

低压ESD静电二极管

高功率ESD静电二极管

ESD静电二极管特性

低电容,最低可达到零点几皮法;

快速响应时间:通常小于1.0PS

体积小,小型化器件,节约PCB空间;

工作电压可以根据IC的工作电压设计,比如:2.8V3.3V5V12V15V等等;

灵活度高,可以根据应用需求设计电容、封装形式、浪涌承受能力等参数;

封装形式多样化,目前阿赛姆电子拥有的ESD封装有:QFN-0201SOD-882DFN1006-3LSOT-523SOD-523QFN-10SOD-123SSOD-323SOT-23SOT-143SOT-363SOT23-6LSOIC-8SOIC-16 等;

ESD二极管封装

ESD静电二极管选型指南

1ESD静电二极管的截止电压要大于电路中最高工作电压;

2、脉冲峰值电流IPP 和最大箝位电压VC 的选择,要根据线路上可能出现的最大浪涌电流来选择合适IPP的型号,需要注意的是,此时的VC 应小于被保护晶片所能耐受的最大峰值电压;

3、用于信号传输电路保护时,一定要注意所传输信号的频率或传输速率,当信号频率或传输速率较高时,应选用低电容系列的ESD静电二极管;

4、根据电路设计布局及被保护线路数选择合适的封装。ESD封装的大小从一定程度上可以反应器件的防护等级大小,一般封装越大的器件可容纳的ESD芯片面积也越大,防护等级也越高,反之亦然。

ESD阵列

ESD静电二极管参数详解

VRWM:反向截止电压、通俗地讲,就是ESD允许施加的最大工作电压,在该电压下ESD处于截止状态,此时ESD的漏电流很小,为几微安甚至更低。

VBR:击穿电压,击穿电压是ESD要开始动作(雪崩击穿)的电压,一般在规定的电流下测量,通常在大小为1mA的 电流下测量。

IR:反向漏电流,即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。

IPP:峰值脉冲电流,一般采用8/20μs的波形测量。

VC: 钳位电压,在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VCVBRIPP成正比关系。

C J:结电容,ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压ESD产品,芯片面积越大结电容越大;对于相同芯片面积的ESD,工作电压越高结电容就越低。

ESD静电二极管选型事项

1.ESD一般用于各类通信端口静电防护,在一些高速数据线路,比如USB3.0HDMIIEEE1394等接口,ESD静电保护二极管的结电容应尽量选择小的,以避免影响通信质量;

2.ESD有单向(A)和双向(C)之分,根据工作的信号进行选择,单极性的信号可以选择单向的 ESD或双向的ESD, 双极性的信号要选择双向的ESD

3.具体选择什么型号的ESD静电二极管做静电防护,还需要在专业的电子工程师指导下选择;

ESD静电二极管典型应用

阿赛姆自主供应的ESD静电保护二极管广泛应用于通信、安防、工业、汽车、消费类产品、智能穿戴设备等电子产品的通信线及I/O口等静电保护。

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