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- [共模电感]1210叠层封装—高速信号用2016年04月19日 10:23
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- [高分子ESD]DFN-10封装2016年04月19日 10:18
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- [高分子ESD]0603封装2016年04月19日 10:17
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- [高分子ESD]0805封装2016年04月19日 10:17
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- [ESD二极管]SOD323封装2016年04月15日 16:24
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- [高分子ESD]0402封装2016年04月15日 16:10
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- [消费电子]LED显示屏ESD导致驱动IC损坏解决方案2016年07月28日 11:21
- 阅读（610）
- [消费电子]工控产品ESD解决方案2016年04月15日 13:49
- 湖南某电子有限公司是一家从事电表、工控产品为主的公司，其有一款产品在深圳龙华某检测机构做ESD静电(接触±4，空气±8K)放电测试时无法通过测试标准，经测试机构推荐我司为其提供解决方案，经我司工程师分析诊断，推荐使用高分子ESD静电管，使用后通过测试OK。
- 阅读（728）
- [公司新闻]ESD管、TVS管焊接失误会引发什么故障？-ASIM阿赛姆2025年09月22日 16:08
- ESD/TVS管焊接失误（虚焊、偏移、过热等）直接导致器件泄放路径中断或电气参数劣化，引发系统ESD防护失效、信号短路及芯片击穿，实测故障率最高提升35%，需通过X光检测、热成像及焊点金相分析精准定位缺陷。
- 阅读（4）
- [公司新闻]ESD管响应慢，怎样与TVS管配合优化防护？-ASIM阿赛姆2025年09月19日 16:51
- TVS管前置扛浪涌冲击（响应0.1ns），高分子ESD管后级精准钳位（响应0.2ns），通过电压梯度设计（Vclamp_TVS≤0.9×VBR_ESD）与≤5mm级联间距，将防护响应速度提升至0.3ns级。
- 阅读（9）
- [公司新闻]USB3.0接口ESD管选型要点有哪些？-深圳阿赛姆2025年09月18日 09:45
- 解析USB3.0接口ESD保护器件选型三大核心要点：超低结电容、精准钳位电压、高浪涌能力，附PCB布局规范、量产验证方案及推荐型号，直击信号衰减与静电失效痛点。
- 阅读（11）
- [公司新闻]高速接口ESD管结电容过高影响信号怎么办？-深圳阿赛姆2025年09月17日 15:29
- 解决USB/HDMI高速接口因ESD结电容导致的信号衰减问题！提供超低电容器件选型、π型滤波电路设计、PCB布局三大方案，附4K摄像机整改实测数据。
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- [公司新闻]MOS管寄生电容过大？抑制方法与影响分析-深圳阿赛姆2025年09月16日 15:28
- 寄生电容是高频MOS管应用的“隐形杀手”。通过优选低电容器件+强化驱动能力+有源米勒钳位三重手段，可降低开关损耗40%以上，提升系统效率3-5%。在200W以上功率系统中，优先考虑GaN或SiC器件（Coss降低80%），并采用开尔文布局控制回路电感至5nH以下。
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- [公司新闻]共模电感常见故障及快速排查方法-深圳阿赛姆2025年09月15日 16:04
- 详解共模电感四大故障（温升/噪声失效/信号失真/断裂）的现场检测方法，提供磁饱和波形分析法、阻抗曲线实测步骤、眼图与S参数诊断技巧。
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- [公司新闻]MOS管高频开关时，怎样减少功率损耗？-深圳阿赛姆2025年09月12日 16:24
- 深度解析高频MOSFET损耗构成（公式拆解+实测数据），提供器件选型黄金参数表、驱动电路负压关断方案、LLC/ZVS软开关设计及PCB布局7大法则。
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- [公司新闻]MOSFET过压击穿失效机制与雪崩能量设计规范-深圳阿赛姆2025年09月11日 15:34
- 本文解析MOSFET过压击穿的雪崩失效机制，基于JEDEC JESD24标准详解雪崩能量（EAS）的测试方法（单脉冲UIS电路）与设计规范，提供工业电源及汽车电子的降额系数选择、热稳定性验证流程及典型案例改进方案，解决V(BR)DSS超限引发的寄生导通问题。
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- [公司新闻]mos管工作原理图详解请-ASIM阿赛姆2025年09月10日 17:31
- 本文基于Infineon/ON Semi厂商文档，通过10+张图解剖析MOS管四层结构、载流子运动路径及三大工作区边界判定。详解Miller平台形成机制与Qgd关系，提供体二极管反向恢复特性实测数据（trr/Irr），给出SOA热边界与雪崩能量计算公式。涵盖开关电源与射频电路选型参数对照表，并附IRF540N/2N7002等型号实测曲线验证。
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- [公司新闻]汽车电子TVS的ISO 16750-2浪涌测试失效分析-深圳阿赛姆2025年09月09日 14:13
- 本文解析TVS在汽车抛负载(Test A)、冷启动(Test B)测试中的典型失效模式，涵盖电压选型错误、热崩溃、引线熔断等6类故障机理，附整改案例及I-V曲线诊断方法
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- [公司新闻]多通道集成TVS阵列的串扰抑制-深圳阿赛姆2025年09月08日 14:01
- ASIM阿赛姆多通道TVS阵列通过三维电磁屏蔽+纳米晶绝缘层，实现-50dB通道隔离度，在112G光模块应用中串扰电压降至8mV，比传统方案降低90%，满足IEEE802.3ck标准严苛要求。
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- [公司新闻]超薄封装TVS在可穿戴设备应用-ASIM阿赛姆2025年09月06日 16:51
- 深度解析0.4×0.2×0.1mm超薄封装TVS二极管在可穿戴设备中的关键技术：0.05pF结电容保障生物传感器精度，＜0.05μA漏电流优化功耗，±30kV ESD防护能力（IEC 61000-4-2）。包含柔性电路3D堆叠策略、多端口协同防护方案及-40℃~85℃温度循环验证，满足IPC-9701弯折测试与AEC-Q101标准要求。
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