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EMC设计的重要性
产品的设计主要经历的几个阶段,总体规格方案设计、详细设计、原理图设计、PCBA设计、样机设计组装、实验室摸底预测试、第三方实验室认证几个阶段。在研发设计阶段没有考虑EMC方面问题，在产品样机出来组装去实验室再进行EMC摸底测试，发现问题，不能通过测试，达不到认证要求.再整改并对产品PCBA和原理图更改，常常会进行较大改动，影像产品周期以及进度。
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原来瞬态抑制二极管防浪涌是这样的
瞬态抑制二极管(TVS瞬态抑制器)又叫钳位型二极管，是目前电子行业普遍的一种高效能电路保护器件，常被用来并联于电源正负极，防止过大的反向电压对负载电路的冲击，能吸收高达数千瓦的浪涌功率，它的主要特点是在反向应用条件下，当承受一个高能量的大脉冲时，其工作阻抗立即降至极低的导通值，从而允许大电流通过，同时把电压钳制在预定水平，其响应时间为毫秒级，因此可有效地保护线路板中的精密元器件。 既然瞬态抑制二极有这么好的防护效果，那么他可以用在哪些行业了，其实目前已广泛应用于消费电子、通讯
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Mos管被esd击穿的解决方案
大家可能并不陌生MOS管，由于MOS管不具备防静电、防浪涌。ESD静电和浪涌无处不在，存在于任何的电子产品中，令人防不胜防。 然而MOS管却又是一个ESD静电极具敏感器件,它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。究竟该如何解决MOS管被ESD击穿的改善方法，想知道的，阅读完下文，你必有所得。
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高分子esd跟硅基材TVS的区别
一．高分子ESD的特点： 1.具有优异的静电吸收能力，与齐纳二极管响应时间达到同样水平，在静电吸收中，可以保持电流-电压对称特性。 2.采用层叠结构，具有极低电容特性，可选择0402、0603、0805、封装系列 3.具有较好的安装可靠性，支持无铅焊接，电镀，达到良好的焊接性，焊接耐热性。 4.可替代齐纳二极管+电容。实现既省空间，又可以降低安装成本。 5.高分子聚合物在多重应力下仍然可保持强大的性能, 而压敏电阻则会随着使用次数的增多性能下降. 二．硅基材TVS的特点：
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差分信号传输凭借优异的共模抑制能力成为高速接口主流方案，但共模浪涌能量可通过分布电容、寄生电感等路径耦合至信号线，对后端芯片构成威胁。TVS二极管差分端口共模浪涌防护需构建从能量泄放到精密钳位的完整架构，确保共模能量有效疏导至地。 【更多详情】
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