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EMC设计的重要性
产品的设计主要经历的几个阶段,总体规格方案设计、详细设计、原理图设计、PCBA设计、样机设计组装、实验室摸底预测试、第三方实验室认证几个阶段。在研发设计阶段没有考虑EMC方面问题，在产品样机出来组装去实验室再进行EMC摸底测试，发现问题，不能通过测试，达不到认证要求.再整改并对产品PCBA和原理图更改，常常会进行较大改动，影像产品周期以及进度。
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原来瞬态抑制二极管防浪涌是这样的
瞬态抑制二极管(TVS瞬态抑制器)又叫钳位型二极管，是目前电子行业普遍的一种高效能电路保护器件，常被用来并联于电源正负极，防止过大的反向电压对负载电路的冲击，能吸收高达数千瓦的浪涌功率，它的主要特点是在反向应用条件下，当承受一个高能量的大脉冲时，其工作阻抗立即降至极低的导通值，从而允许大电流通过，同时把电压钳制在预定水平，其响应时间为毫秒级，因此可有效地保护线路板中的精密元器件。 既然瞬态抑制二极有这么好的防护效果，那么他可以用在哪些行业了，其实目前已广泛应用于消费电子、通讯
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Mos管被esd击穿的解决方案
大家可能并不陌生MOS管，由于MOS管不具备防静电、防浪涌。ESD静电和浪涌无处不在，存在于任何的电子产品中，令人防不胜防。 然而MOS管却又是一个ESD静电极具敏感器件,它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。究竟该如何解决MOS管被ESD击穿的改善方法，想知道的，阅读完下文，你必有所得。
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高分子esd跟硅基材TVS的区别
一．高分子ESD的特点： 1.具有优异的静电吸收能力，与齐纳二极管响应时间达到同样水平，在静电吸收中，可以保持电流-电压对称特性。 2.采用层叠结构，具有极低电容特性，可选择0402、0603、0805、封装系列 3.具有较好的安装可靠性，支持无铅焊接，电镀，达到良好的焊接性，焊接耐热性。 4.可替代齐纳二极管+电容。实现既省空间，又可以降低安装成本。 5.高分子聚合物在多重应力下仍然可保持强大的性能, 而压敏电阻则会随着使用次数的增多性能下降. 二．硅基材TVS的特点：
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