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高分子esd跟硅基材TVS的区别

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来源:发布日期 2019-09-06 15:18:40浏览:-
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一. 高分子ESD的特点:

1. 具有优异的静电吸收能力,与齐纳二极管响应时间达到同样水平,在静电吸收中,可以保持电流-电压对称特性。

2. 采用层叠结构,具有极低电容特性,可选择0402、0603、0805、封装系列

3. 具有较好的安装可靠性,支持无铅焊接,电镀,达到良好的焊接性,焊接耐热性。

4. 可替代齐纳二极管+电容。实现既省空间,又可以降低安装成本。

5. 高分子聚合物在多重应力下仍然可保持强大的性能, 而压敏电阻则会随着使用次数的增多性能下降.

 

高分子esd

二. 硅基材TVS的特点:

1. 瞬态抑制二极管简称TVS,VS的电气特性由P-N结面积,参杂浓度及晶片阻质决定的。其耐突波电流的能力与其P-N结面积成正比。

2. 反映速度快(为pS级),体积小,箝位电压低,可靠性高。

3. 10/1000μs波脉冲功率从400W~30000W,脉冲峰值电流从几安~几百安。

4. 常用的TVS管的击穿电压有从5V到550V的系列值。且可靠性高,在TVS管规范之 

tvs

工作范围内,性能可靠,不易劣化,使用寿命长。

 

三. TVS和高分子聚合物ESD也同属保护器件,只是应用电路中的要求不同,选择的类型会有所区别,以下是两种保护器件特点图:


高分子esd,tvs

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