全程EMC技术支持
在线微信客服
- [公司新闻]MOS管寄生电容过大？抑制方法与影响分析-深圳阿赛姆2025年09月16日 15:28
- 寄生电容是高频MOS管应用的“隐形杀手”。通过优选低电容器件+强化驱动能力+有源米勒钳位三重手段，可降低开关损耗40%以上，提升系统效率3-5%。在200W以上功率系统中，优先考虑GaN或SiC器件（Coss降低80%），并采用开尔文布局控制回路电感至5nH以下。
- 阅读（118）
相关搜索
热点聚焦
开关电源EMC设计完整指南：从拓扑选型到滤波器设计
- 开关电源EMC设计如何做？...
3C认证EMC测试整改实战指南：CCC认证最常见的EMC不合格项与解决方法
- 3C认证EMC测试不通过怎么...
全场景ESD防护首选：如何用一颗二极管守护车规/消费/工控安全底线
- 阿赛姆（ASIM）成立于20...
