全程EMC技术支持
在线微信客服
- [公司新闻]MOSFET过压击穿失效机制与雪崩能量设计规范-深圳阿赛姆2025年09月11日 15:34
- 本文解析MOSFET过压击穿的雪崩失效机制，基于JEDEC JESD24标准详解雪崩能量（EAS）的测试方法（单脉冲UIS电路）与设计规范，提供工业电源及汽车电子的降额系数选择、热稳定性验证流程及典型案例改进方案，解决V(BR)DSS超限引发的寄生导通问题。
- 阅读（18）
相关搜索
热点聚焦
阿赛姆ESD二极管选型应用大全
- 阿赛姆ESD器件的核心优势...
ESD管寄生电容，对共模电感效能有何干扰？-ASIM
- ESD管寄生电容≥1pF时导...
ESD管响应慢，怎样与TVS管配合优化防护？-ASIM阿赛姆
- TVS管前置扛浪涌冲击（响...
